孙涛，讲师，硕士研究生导师
邮箱：suntao@cczu.edu.cn
研究方向：新能源装备；流体传热
个人简介
孙涛，男，中共党员，1991年生，江苏镇江人，博士。主要从事新能装备、流体传热等研究。参与完成国家自然科学基金2项、国家重点研发计划1项。发表论文10余篇，其中以第一作者发表论文5篇，授权专利3项。
教育经历
2017.09-2021.12 江苏大学 机械工程学院 机械工程 博士研究生
2014.09-2017.05 常州大学 机械工程学院 机械设计制造及其自动化 工学硕士
2010.09-2014.06 常州大学 机械工程学院 机械设计制造及其自动化 工学学士
工作经历
2022.03-至今，常州大学，机械设计制造及其自动化系，讲师
科研工作
（1）主要研究方向：
1）新能源装备；2）流体传热
（2）科研项目
国家自然科学基金重点项目（513300305），面向下一代超薄光伏组件非传统加工装备设计与制造，2014-2018，已结题，参与。
国家重点研发计划（2018YFB1500304），高效 P 型多晶硅电池产业化关键技术，2019-2022，已结题，参与。
国家自然科学基金青年基金项目（51905049），2mm以下大尺寸超薄气浮式物理钢化成型机制研究，2020-2022，已结题，参与。
（3）主要论文
[1] Tao Sun, Cunhua Jiang, Jianning Ding, Ningyi Yuan. Thermocapillary migration mechanism of molten silicon droplets on horizontal solid surfaces[J]. Friction, 2018, 6(1): 62-74.
[2]Tao Sun, Jianning Ding, Cunhua Jiang, Jiawei Xu, Ningyi Yuan[J]. Simulating the horizontal growth process of silicon ribbon[J]. AIP Advances, 2018, 8:085307
[3] Tao Sun, Zhongqiang Zhang, Guanggui Cheng, Keqian Zhu, Jiawei Xu, Ningyi Yuan, Jianning Ding. Numerical investigation of thermocapillary and buoyancy convection in horizontal ribbon growth with lid-driven boundary. AIP Advances, 2020, 10: 115310.
[4] 孙涛; 姜存华; 沈达鹏; 丁建宁; 袁宁一 ; 水平固体表面温度梯度下硅油液滴运动, 微纳电子技术,2017, 54(07): 485-491.
[5]孙涛,张忠强,林本才等.线性离子源反应离子刻蚀多晶硅绒面结构[J].化学工程,2023,51(09):7-13.
[6] Cunhua Jiang, Tao Sun, Ningyi Yuan, Jianning Ding. Dynamic stability and failure mechanism of meniscus during horizontal ribbon growth of silicon wafe. Acta Energiae Solaris Sinica, 2019, (7):1944-1949.
[7] K.Q. Zhu, T. Sun, P.P. Yu, M.X. Li, N.Y. Yuan, J.N. Ding, Experimental investigation of crossflow characteristics in a multi-jets system at small nozzle-to-plate spacing 2019,37(2) :142-147.
（4）授权专利
[1] 丁建宁,孙涛,袁宁一,程广贵,朱科钤.一种水平提拉硅带成型设备的入料装置及其入料方法[P].中国： CN109505006B， 2021-02-12.
[2] 丁建宁; 孙涛; 李绿洲; 上官泉元 ; 一种连续制备大面积纳米绒面的反应离子刻蚀装置及其方法, 2022-03-22, 中国, CN202110331324.3.
[3] 坎标, 孙涛,丁建宁,李征宇. 一种利用孔板双液面测量液体表面张力的支架及测量方法[P].中国: CN106596350A，2017-04-26.
[4] Ding Jianning, Yuan Ningyi, Xu Jiawei, Shen, Dapeng, Xu Xiaodong, Sun Tao,Wang Shubo. Silicon Wafer Horizontal Growth Device And Method[P].PCT:WO/2018/196215, 2018-11-01.
